微导纳米初次发布自主研制的“先进封装低温薄膜使用解决计划”

  上证报中国证券网讯7月16日微导纳米(688147)晚间公告，公司在“第十六届集成电路封测工业链立异开展论坛(CIPA2024)”上初次发布了自主研制的“先进封装低温薄膜使用解决计划”。该计划针对半导体范畴2.5D和3D先进封装技能的低温工艺特别需求而规划，可以在50°C~200°C的低温温度区间内完成高均匀性、高质量、高可靠性的薄膜堆积作用。计划包含iTronix LTP系列低温等离子体化学气相堆积体系、iTomic PE系列等离子体增强原子层堆积体系、iTomic MeT系列金属及金属氮化物堆积体系等多款公司自主研制的低温薄膜堆积设备产品。其间，iTronix LTP系列低温等离子体化学气相堆积体系可以在低温下完成高质量的SiO2、SiN和SiCN薄膜堆积，适用于混合键合的介电层(ILD)、低k阻挡层和堆叠薄膜(BVR)；iTomic PE系列等离子体增强原子层堆积体系可堆积高质量的SiO2和SiN薄膜，适用于深邃宽比的TSV衬垫，可以在极深邃宽比的通孔内构成均匀且细密的绝缘层，确保了器材功能的安稳；iTomic MeT系列金属及金属氮化物堆积体系可堆积高功能的TiN、TaN、Ru等金属性薄膜，适用于深邃宽比TSV的铜阻挡层，可以有很大作用防备铜分散，提高了TSV的可靠性。当时公司正活跃推进上述产品的商场导入，构建产品先发优势。

  公告显现，公司在半导体范畴已推出包含iTomic系列原子层堆积体系、iTomic MW系列批量式原子层堆积体系、iTomic PE系列等离子体增强原子层堆积体系、iTronix系列化学气相堆积体系等系列新产品，现有产品可以对逻辑芯片、存储芯片、化合物半导体、新式显现(硅基OLED)中的薄膜堆积使用完成较为全面的掩盖，公司现在产品现已掩盖HfO、Al O3、ZrO、TiO、La O3、ZnO、SiO、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、无定形碳、SiGe等多种薄膜资料。

  一起，公司瞄准国内外半导体先进的技能和工艺的开展趋势，继续丰厚产品矩阵，为客户供给最先进的、集成化的真空技能工艺解决计划，打通国内先进半导体下一代技能迭代的需求。现在，2.5D和3D封装技能正以其高集成度和优胜功能，成为推进电子器材微型化和功能提高的重要手法。公司新产品的发布表现了公司的科学技能立异才能，进一步丰厚了公司的产品线。经过拓展产品的使用场景，能大大下降单一职业周期性动摇给公司带来的晦气影响。(郑玲)

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